circuito integrado

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  • XC7K325T-1FFG676I fornece a melhor relação custo-benefício e baixo consumo de energia para aplicações de crescimento rápido e comunicação sem fio. O FPGA KindEx-7 possui excelente desempenho e conectividade, com preços no mesmo nível que anteriormente limitado às aplicações de maior capacidade

  • MT40A512M16TB-062E: R é uma memória de acesso aleatório dinâmica de alta velocidade que é configurada internamente como 8 conjuntos de DRAM na configuração X16 e 16 conjuntos de DRAM na configuração X4 e X8. O DDR4 SDRAM usa a arquitetura de atualização 8N para obter operação de alta velocidade. A arquitetura de pré -busca 8N é combinada com uma interface projetada para transmitir duas palavras de dados por ciclo de relógio nos pinos de E/S.

  • MT29F4G08ABBDAH4-IT: D O dispositivo Flash Micron Nand inclui uma interface de dados assíncrona para operações de E/S de alto desempenho. Esses dispositivos usam um barramento de 8 bits altamente multiplexado (I/OX) para transmitir comandos, endereços e dados.

  • O MT25QL256ABA8E12-0AAT A memória Nor Flash tem um número baixo de pinos, é simples e fácil de usar e é uma solução simples adequada para codificar aplicativos de sombra; Pode atender às necessidades de aplicativos de eletrônicos, indústria, comunicação com fio e computação. Este dispositivo adota embalagens padrão do setor, alocação de pinos, conjunto de comandos e compatibilidade com chipset, facilitando a adoção em vários designs. Isso pode economizar tempo de desenvolvimento valioso, garantindo a compatibilidade com os projetos existentes e futuros. Especificações do produto:

  • MT40A2G8SA-062E: F pode acelerar o tempo de lançamento do produto e fornecer soluções de módulo DRAM de alta qualidade, cuja confiabilidade foi rigorosamente testada.

  • O BCM87400A1KRFBG adota a principal plataforma de tecnologia PAM-4 PAM-4 da Broadcom e é o primeiro transceptor de 400g PAM-4 do setor usando a tecnologia NM CMOS.

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