MT29F4G08ABBDAH4-IT:D O dispositivo flash Micron NAND inclui uma interface de dados assíncrona para operações de E/S de alto desempenho. Esses dispositivos usam um barramento (I/Ox) altamente multiplexado de 8 bits para transmitir comandos, endereços e dados.
MT29F4G08ABBDAH4-IT:D O dispositivo flash Micron NAND inclui uma interface de dados assíncrona para operações de E/S de alto desempenho. Esses dispositivos usam um barramento (I/Ox) altamente multiplexado de 8 bits para transmitir comandos, endereços e dados.
Parâmetros de especificação:
Tipo de produto: memória flash NAND
Estilo de instalação: SMD/SMT
Pacote/caixa: VFBGA-63
Série: MT29F
Capacidade de armazenamento: 4 Gbit
Tipo de interface: Paralela
Organização: 512 M x 8
Tipo de tempo: Assíncrono
Largura do barramento de dados: 8 bits
Tensão de alimentação - mínimo: 1,7 V
Tensão de alimentação - máximo: 1,95 V
Corrente de alimentação - valor máximo: 35 mA
Temperatura mínima de operação: -40°C
Temperatura máxima de trabalho:+85 C
Tipo de armazenamento: NAND
Sensibilidade à umidade: Sim
Produto: Flash NAND
Tipo de produto: Flash NAND
Padrão: não suportado
Quantidade de embalagem de fábrica: 1000
Subcategoria: Memória e armazenamento de dados Tipo: Sem bloco de inicialização
Peso unitário: 752,895 mg
