O dispositivo XCVU7P-2FLVA2104I fornece o desempenho mais alto e a funcionalidade integrada nos nós FINFET de 14nm/16nm. O IC 3D de terceira geração da AMD usa a tecnologia de interconexão de silício (SSI) empilhada para quebrar as limitações da lei de Moore e alcançar o mais alto processamento de sinal e largura de banda de E/S serial para atender aos requisitos de projeto mais rigorosos. Ele também fornece um ambiente de design de chip único virtual para fornecer linhas de roteamento registradas entre os chips para alcançar a operação acima de 600 MHz e fornecer relógios mais ricos e flexíveis.
O dispositivo XCVU7P-2FLVA2104I fornece o desempenho mais alto e a funcionalidade integrada nos nós FINFET de 14nm/16nm. O IC 3D de terceira geração da AMD usa a tecnologia de interconexão de silício (SSI) empilhada para quebrar as limitações da lei de Moore e alcançar o mais alto processamento de sinal e largura de banda de E/S serial para atender aos requisitos de projeto mais rigorosos. Ele também fornece um ambiente de design de chip único virtual para fornecer linhas de roteamento registradas entre os chips para alcançar a operação acima de 600 MHz e fornecer relógios mais ricos e flexíveis.
Aplicativo:
Aceleração de cálculo
5G Base Band
Comunicação com fio
radar
Teste e medição
Atributos do produto
Dispositivo: XCVU7P-2FLVA2104I
Tipo de produto: FPGA - Array de portão programável em campo
Série: XCVU7P
Número de componentes lógicos: 1724100 LE
Módulo lógico adaptável - ALM: 98520 ALM
Memória incorporada: 50,6 Mbit
Número de terminais de entrada/saída: 884 E/S
Tensão da fonte de alimentação - mínimo: 850 mV
Tensão da fonte de alimentação - Máximo: 850 mV
Temperatura mínima de trabalho: -40 ° C
Temperatura máxima de trabalho: +100 ° C
Taxa de dados: 32,75 GB/s
Número de transceptores: 80
Estilo de instalação: SMD/SMT
Pacote/caixa: FBGA-2104
RAM distribuída: 24,1 Mbit
RAM de bloco incorporado - EBR: 50,6 Mbit
Sensibilidade à umidade: sim
Número de blocos de matriz lógica - Laboratório: 98520 laboratório
Tensão da fonte de alimentação de trabalho: 850 mV